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PN8161概述：
PN8161 快充充電器芯片內部集成了準諧振工作的電流模式控製器和功率MOSFET，專用於高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了極為全麵和性能優異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調製技術和特殊器件低功耗結構技術實現了超低的待機功耗、全電壓範圍下的最佳效率。頻率調製技術和SoftDriver技術充分保證良好的EMI表現。
PN8161產品特征：
■ 內置650V高雪崩能力的功率MOSFET
■ 準諧振工作
■ 最高開關頻率125kHz
■ 外圍精簡，無需啟動電阻及CS檢測電阻
■ 高低壓腳位兩側排列提高安全性
■ 內置高壓啟動，空載待機功耗<50mW @230VAC
■ 改善EMI的頻率調製技術
■ 供電電壓8-40V，適合寬輸出電壓應用
■ 優異全麵的保護功能
過溫保護 (OTP)
輸出過壓保護
逐周期過流保護 (OCP)
輸出開/短路保護
次級整流管短路保護
過負載保護（OLP）
PN8161封裝/ 訂購信息：
注：PN8161最大輸出功率是在環境溫度 40℃ 的密閉式應用情形下測試。
PN8161典型應用電路：
為了更好體現 PN8161 的性能，請務必遵守以下規則：
1. VDD 電容 EC1 應放置在距離 VDD 引腳和 GND 引腳最近的地方。
2. PN8161 GND 引腳到輸入電解電容地的走線盡量短而粗。
PN8161 快充充電器芯片應用領域：
PN8161 快充充電器芯片應用領域：
■ 充電器
■ 適配器
■ 開放式開關電源
■ 適配器
■ 開放式開關電源
