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PN8368產品描述：
PN8368集成超低待機功耗準諧振原邊控製器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用於高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8368為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）
PN8368集成超低待機功耗準諧振原邊控製器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用於高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8368為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）
小於30mW。在恒壓模式，采用準諧振與多模式技術提高效率並消除音頻噪聲，使得係統滿足6級能效標準，可調輸出線補償功能能使係統獲得較好的負載調整率；在恒流模式，輸出電流和功率可通過CS腳的RCS電阻進行調節。該芯片提供了極為全麵的智能保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。
PN8368產品特點：
內置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
PN8368產品特點：
內置650V高雪崩能力智能功率MOSFET
內置高壓啟動電路，小於30mW空載損耗（230VAC）
采用準諧振與多模式技術提高效率，滿足6級能效標準
全電壓輸入範圍±5%的CC/CV精度
原邊反饋可省光耦和TL431
恒壓、恒流、輸出線補償外部可調
無需額外補償電容
無音頻噪聲
智能保護功能
過溫保護 (OTP)
VDD欠壓&過壓保護 (UVLO&OVP)
逐周期過流保護 (OCP)
CS開/短路保護 (CS O/SP）開環保護 (OLP)
典型應用圖
CS開/短路保護 (CS O/SP）開環保護 (OLP)
典型應用圖
