SD8666QS功率mosfet芯片多重模式控製器

　　SD8666QS 是用於開關電源的內置高壓功率MOSFET、外置采樣電阻的準諧振電流模式PWM+PFM 控製器。有多重模式控製，具有抖頻、峰值電流補償、軟啟動功能，還集成各種異常狀態的保護功能。SD8666QS功率mosfet芯片 可減少外圍元件，增加效率和係統的可靠性，適用於反激式變換器。
 

　　

　　

　　一、多種控製模式　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片具有多重模式控製。在重載條件下（VFB>2V），係統會有兩種工作狀態，當輸入電壓低時，工作在CCM模式，此時為PWM 控製，固定頻率55KHz，當輸入電壓高時，工作在DCM 模式，此時工作在QR 模式，可以減小開關損耗，最大頻率限製在69KHz。隨著負載降低，在中載和輕載條件下（1.3V<VFB<2V），工作在QR+PFM 模式，最大限製頻率開始降低直到最低頻率23KHz，期間穀底開通仍然存在，可以提高轉換效率。在空載和極輕負載條件下（VFB<1V），進入打嗝模式，有效地降低待機功耗。　　

　　SD8666QS 具有低壓重載升頻功能，輸入電壓低於100V 時，重載條件下，（VFB>2.4V），頻率隨FB 電壓增加而升高，提高低壓的極限輸出功率。　　　

　　

　　二、抖頻　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片采用抖頻控製來改善EMI 性能，使得整個應用係統的設計會變得更簡單。　　

　　峰值電流補償SD8666QS 通過檢測DEM 管腳在開通時流出的電流判斷輸入電壓的高低，並將檢測到的電流轉換成峰值電流的補償量。另外低壓升頻功能可以有效提高低輸入電壓時的極限輸出功率，保證不同交流電壓輸入時極限輸出功率一致性。

　　

　　三、軟啟動　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片內置4ms 軟啟動時間，以限製功率MOSFET 的DRAIN 端最大峰值電流，使其逐步提高，從而減小器件的應力，防止變壓器飽和。

　　

　　四、VCC 過壓保護　　

　　當VCC 電壓超過過壓保護點26V 時，觸發VCC 過壓保護，此時功率MOSFET 關斷，係統將自動重啟。
 

　　

　　VCC 過壓保護的波形圖　　

　　當輸出發生過載時， FB 電壓會升高，當升到FB 過載保護點4.2V 時，且再經過過載保護延時90ms 後，功率MOSFET關斷，VCC 電壓開始下降；當VCC 電壓降到關斷電壓8V 時，電路重新啟動。　
 

　

　　輸出過載保護的波形圖

　　

　　五、前沿消隱　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片內置的前沿消隱電路可以防止功率MOSFET 開通時產生的電流尖刺造成的誤關斷，這樣外圍RC 濾波電路可以省去。在前沿消隱時間內，脈寬調製比較器和峰值限流比較器是不工作的，而功率MOSFET 在這段時間內是保持導通狀態的，所以功率MOSFET 開啟的最小時間就是前沿消隱的時間TLEB。
 

　　

　　六、逐周期峰值電流限製　　

　　在每一個周期，峰值電流值由比較器的比較點決定，該電流值不會超過峰值電流限流值，保證功率MOSFET 上的電流不會超過額定電流值。當電流達到峰值電流以後，輸出功率就不能再變大，從而限製了最大的輸出功率。如果負載過重，會導致輸出電壓變低，反饋到FB 端，導致FB 電壓升高，發生輸出過載保護。　　

　　

　　七、輸出黄瓜视频污污短路保護　　

　　SD8666QS 功率mosfet芯片通過檢測CS 端實現輸出黄瓜视频污污短路保護功能。由於輸出黄瓜视频污污短路會導致原邊瞬間過流，當電流采樣電阻上的CS 電壓連續4 個周期都大於1V 時，就判定輸出黄瓜视频污污短路。此時功率MOSFET 關斷，且進入鎖定狀態。當AC 輸入電壓斷開，VCC 電壓下降至鎖定點5V 時，才能解除鎖定狀態；當AC 輸入電壓重新上電後，係統將重新啟動。

　　

　　八、AC 輸入電壓欠壓保護　　

　　在功率MOSFET 導通時，輔助繞組電壓為負，DEM 管腳鉗位為0V。SD8666QS 通過設定外部檢測電阻，檢測DEM管腳流出的電流。當流出電流小於95A 時，且時間超過Brown out 抗幹擾時間時，進入AC 輸入電壓欠壓保護狀態，功率MOSFET 截止，係統將自動重啟。當檢測到電流大於110A 時，則恢複正常工作。　　

　　

　　九、可調節的輸出電壓過壓保護　　

　　SD8666QS 的DEM 管腳在開關截止且副邊續流時期，作為輸出電壓檢測管腳。當DEM 管腳電壓超過OVP 電壓閾值2.5V 時，進入輸出電壓過壓保護狀態，功率MOSFET 截止，係統將自動重啟。

　　

　　十、過溫保護　　

　　當溫度過高時，為了保護電路不會損壞，電路會觸發過溫保護，此時功率MOSFET 關斷，且該狀態一直保持，直到冷卻後係統將自動重啟。