中國半導體潛心發展自有核心技術才是根本
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中國積極扶植半導體產業,積極以大基金挹注扶植產業發展,並以建廠、並購重組為“蛙跳式”發展主要手段。不過當前卻逐漸在行業圈內已形成一股論調,認為中國半導體能夠潛心發展自有核心技術才是根本,切勿盲目“奢華”過度投資,低調冷靜才是長遠之計。
根據中國國務院2015年5月頒布的“中國製造2025”計劃,中國政府對半導體產業的長期目標是能夠實現相當程度的集成電路自給自足。“中國製造2025”中給中國集成電路自給率的指標為2020年達到40%,2025年達到70%。
不過IC Insights分析近日公然認為此目標太過“樂觀”,認為中國缺乏核心技術下,要實現2025年此目標不太實際。IC Insights所持論調是資金層麵不是問題,核心技術會是障礙,中國業者如何取得技術來源,繞過重重IC專利障礙,可能還麵臨很多關卡。
目前中國國內如火如荼進行的內存投資潮,正在積極搶進32層3D NAND研發,預計位於武漢的長江存儲將於2018年展開裝機作業,後續進行試產;剛剛敲定落地的南京紫光晶圓廠也鎖定內存。其背後都有國家政策扶植與大筆資金鏈支持。但問題是快速上馬的內存芯片如何與協作技術夥伴攜手可長可久,不走過去台灣也曾分為爾必達(Elpida)、美光(Micron)合作陣營核心技術仍受人所箝製的老路,已經證明行不通,中國大陸不斷新蓋內存晶圓廠如何殺出一條技術與量產成功的新模式路子,仍有待時間考驗。
尤其一旦中國內存量產,IC Insights分析,三星、海力士、美光、英特爾、東芝等大廠都可能會在專利上麵做文章。
除了專利問題,中國企業也通過並購手段能快速在技術問題上抄捷徑。從2014年開始,過去兩年中國試圖通過收購國外半導體公司的方式來得到技術,但是IC Insights認為,現在絕大多數外國政府對中國在集成電路產業上的野心十分警惕,中國資本收購國外IC企業的難度已非常高。
日前美國前總統歐巴馬卸任前,科技谘詢委員會即出台一分報告警示美國抑製中國的高新技術崛起,很可能會替未來中國企業收購之路埋下更多“添堵”變因。
半導體行業資深專家莫大康分析時指出,當前中國投入內存晶圓生產已進入高峰期,今年後將進入設備安裝階段,未來一兩年要做好量產的準備,工藝製程技術方麵的突破仍是關鍵。
莫大康指出“任何產能的擴充,隻要有錢,相對是簡單的,關鍵是要變成有效產能在全球競爭中勝出”,“建廠高潮造勢重要,然而冷靜更不可或缺”。
SEMI中國總裁居龍麵對建廠高潮也表達了喜憂參半。他認為,以目前中國各地建廠風潮與地方基金的投資積極度來看,很可能未來一兩年將帶給中國產能供過於求的風險。當然,風險還尚未來到前,拉動設備材料訂單與資本支出投入,中國的成長動力不可否認較其他地區更為強勁。
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