黄瓜AVAPP電子代理賽威科技新推出的充電器和LED照明領域PSR架構IC

    賽威科技(SiFirstTechnology)繼在離線式(AC/DC)小功率充電器領域推出驅動MOSFET的SF5920係列之後，近期又推出兩款全新的驅動功率BJT的PSR架構芯片SF6010和SFL658。其中，SF6010適用於充電器領域，可以實現30mW的超低待機功耗和小於±5%的高精度恒壓恒流(CV/CC)特性；SFL658適用於小功率LED照明領域，可以實現小於±4%的高精度恒流。賽威這次發布的PSR控製器SF6010和SFL658分別采用新穎的“多模式控製”和“智能短路保護”技術，大大提高了係統可靠性。

 

    眾所周知，原邊反饋(PSR)控製架構由於其可省去傳統反激架構中的光耦和輔助元件而成為小功率充電器領域的主流架構。近年來，驅動功率BJT的PSR架構由於其係統成本低，因而受到了電源廠家和LED照明驅動廠家的青睞。然而由於功率BJT的耐壓比功率MOSFET要低，在極端情況下諸如短路或這過載時容易發生擊穿現象從而導致係統損壞。    

 

    賽威科技這次發布的SF6010和SFL658采用了專利的“多模式控製”和“智能短路保護”技術，克服了目前驅動BJT的PSR技術的缺陷，大大提高了係統的可靠性。賽威科技IC研發總監林官秋指出：目前的模擬類PSR係統大都采用PFM控製，PFM控製的好處是其優異的EMI性能。然而在小功率充電器領域，純粹PFM架構容易導致變壓器發生飽和現象，從而導致係統在過載時損壞。賽威發布的SF6010和SFL658采用“多模式”控製，通過在滿載附近采用PWM+PFM控製，從而防止變壓器發生飽和現象，大大提高了係統可靠性。林官秋還指出，傳統PFM架構的PSR係統在短路時，容易發生頻率“誤觸發”現象，一方麵容易導致係統短路功耗大，另一方麵容易導致功率管電壓衝高而炸機，尤其是在LED照明領域。當LED進行板端短路測試時，功率BJT由於其耐壓值相對較低，從而相對於功率MOS更容易發生炸機現象。賽威科技這次發布的SFL658徹底解決了這個問題，通過采用專利的“智能短路保護”技術，自動檢測識別係統短路情況，同時采用多種手段降低短路功率管的短路衝高電壓，測試結果表明采用“智能短路保護”能夠使係統短路時功率管的衝高電壓至少降低100V以上！從而大大提高了係統可靠性。    

 

    SF6010內部恒壓比較器參考電壓精度為+/1%，因而可以實現±5%的高精度恒壓。同時SF6010還內置線損補償(cabledropcompensation)，並且無需外部環路補償電容，降低了係統成本。SF6010用在充電器領域時，可以實現30mW的超低待機功耗，達到“五星級”充電器標準。SFL658適用於LED照明領域，包括小功率GU10和PAR燈應用。SF658內部恒流比較器參考電壓誤差為+/1%，為業內同類產品最高精度。同時SFL658還采用了專利的恒流控製與修正技術，結合內置的係統恒流點溫度補償功能，可以實現量產4%的恒流精度。    

 

    此外，SF6010和SFL658還集成了諸多完善的保護，諸如軟啟動保護，VDD過壓保護，輸出過壓保護，管腳浮空保護等等，這些保護功能大大提高了係統可靠性，優化了係統性能。SF6010和SFL658提供SOT23-5封裝。